zolix卓立汉光 DInGaAs2600-TE 探测器
TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计，其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。
光谱响应度曲线参考图（虚线为某款国产InGaAs对比曲线）
铟镓砷探测器使用建议：
■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信
号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但
仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，
故可不再需要另行选配前置放大器；
■ 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；
| 型号/参数 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs2600-TE | DInGaAs2600H-TE |
光敏面直径(mm) | 3 | 3 | 3 |
波长范围(nm) | 800-1700 | 800-2600 | 800-2600 |
峰值响应度(A/W) | 0.9 | 1.2 | 1.3 |
D*(典型值) | 8.4×10^13 | 4.9×10^11 | 4.5×10^11 |
NEP(典型值) | 3.2×10^-15 | 5.5×10^-13 | 6×10^-13 |
温控器型号 | ZTC | ZTC | ZTC-H |
探测器温度(℃) | -40 | -40 | -20 |
温度稳定度(℃) | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
环境温度(℃) | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 |
输出信号极性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
匹配前置放大器型号 | ZPA-7 | ZPA-7 | Preamplifier |
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